NOR Flash或NAND Flash作为关键的非易失性存储器，主要用于存储设备的配置程序。兆易创新拥有广泛的闪存产品组合，且均经过专门设计，以满足各种电子应用对于容量、性能、可靠性和安全性等方面的不同需求，同时提供超小型封装和低功耗。

SPI NOR Flash

兆易创新SPI NOR Flash提供高性能和安全特性，可满足当今应用多样化设计需求。

SPI NOR Flash - 主要特性

• 支持1.8V、2.5V、3.0V和宽压电源供电
• 提供单通道、双通道、四通道SPI工作模式
• 四通道SPI数据吞吐量高达532Mb/s，优于许多异步并行闪存
• 内存架构灵活自如（扇区大小：4K bytes，块大小：32/64K bytes）
• 高可靠性，数据保留时间20年，编程/擦除周期达100000次
• 工作温度范围：-40℃~85℃
• 提升的代码执行速度、简化的接口和较少的引脚等

SPI NAND FLASH

兆易创新SPI NAND Flash为移动设备、机顶盒、数据卡、电视等应用的多媒体数据存储提供所需的大容量存储和性能。

主要特性

• 采用1.8V和3.0V电源供电
• 封装：WSON8 (6mm x 8mm)​
• 高速时钟频率（30pF载荷时的快速读取为120MHz）
• 四通道数据吞吐量高达480Mbit/s​
• 高可靠性，数据保留时间10年，编程/擦除周期达100000次
• 工作温度范围：-40℃~85℃
• 增强的访问性能，快速随机读取的缓存为2K或4K bytes
• 高级NAND功能，包括内部ECC

Parallel NAND Flash

兆易创新GD9F Parallel NAND Flash为移动设备、机顶盒、数据卡、电视等设备的多媒体数据存储应用提供所必需的大容量存储和性能。

主要特性

• 电源：1.8V (1.7V ~ 1.95V)或3.0V (2.7V ~ 3.6V)
• 分页大小：2048 + 128 Byte或2048 + 64 Byte
• 兼容ONFi
• 封装类型：TSOP-48、FBGA-63、FBGA-48
• 容量：1Gb至8Gb
• 高可靠性：数据保留时间10年，且编程/擦除周期高达100000次
• 温度范围：-40℃~85℃/-40℃~105℃
• 高性能特性：缓存读取/编程操作
• 安全特性：OTP、UID与阵列保护